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led芯片 深圳led芯片 杰生半导体公司

发布日期 :2022-09-23 03:08发布IP:123.58.44.124编号:10393867
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led直插灯珠分析LED驱动有哪些原理?正向压降(VF)和正向电流的(IF)关系曲线,由曲线可知,当正向电压超过某个阈值(约2V),即通常所说的导通电压之后,可近似认为,IF与VF成正比。见表是当前主要超高亮LED的电气特性。由表可知,当前超高亮LED的高IF可达1A,而VF通常为2~4V。 由于LED的光特性通常都描述为电流的函数,而不是电压的函数,光通量(φV)与IF的关系曲线,因此,采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。此外,LED的正向压降变化范围比较大(大可达1V以上),而由上图中的VF-IF曲线可知,VF的微小变化会引起较大的,IF变化,从而引起亮度的较大变化。 LED的温度与光通量(φV)关系曲线,可知光通量与温度成反比,85℃时的光通量是25℃时的一半,而一40℃时光输出是25℃时的1.8倍。温度的变化对LED的波长也有一定的影响,因此,良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。所以,led芯片价格,采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性,并且影响LED的可靠性、寿命和光衰。因此,超高亮LED通常采用恒流源驱动。


如何应对LED贴片灯珠封装失效因素?使用LED灯不亮死灯时,这可能是安装方法不正确、电源过高及保护措施不到位等重要原因导致的,有过多时也会是人为因素。如下几个因素: 1、焊接温度过高,胶体膨胀剧烈扯断金线或者外力冲击碰撞封装胶体,扯断金线。应在每个灯具都有相对应的安装说明书。按照推荐的焊接条件焊接使用,装配过程中注意保护封装结构部分不受损坏。 2、使用过程未做好防静电防护,导致LED PN结被击穿。应做好ESD防护工作,led芯片批发,防止静电的干扰导致灯具的工作。 3、过电流过电压冲击导致驱动,芯片烧毁,灯具处于开路或短路状态。应做好EOS防护,防止电流和电压大于灯具的电流和电压冲击或者长时间驱动LED。 4、LED散热不好导致固晶胶老化,层脱,芯片脱落。应在焊接时防止LED悬浮,倾斜。做好LED散热工作,保证LED的散热通道顺畅。 5、过电流冲击,烧断金线。应防止过电流过电压冲击LED。 6、回流焊温度曲线设置不合理,造成回流过程胶体剧烈膨胀导致金线断。应按照推荐的回流参数过回流焊。 7、齐纳被击穿,装配时LED正负极被短接或者PCB板短路,led芯片报价,LED被击穿。应做好ESD防静电保护工作,避免正负极短路,深圳led芯片,PCB要做仔细排查。 8、LED受潮未除湿,回流焊过程中胶裂,金线断。应维护过程要小心,按照条件除湿,可利用防潮箱或者烘箱进行干燥除湿。应按照推荐的回流参数过回流焊。


LED贴片灯珠厂家告诉你,导致LED光源黑化原因是什么?  1、硫化、氯化、化  LED支架上的镀银层接触含硫气体会生成硫化银,接触酸性含氮的氯和气体则会生成对光敏感的卤化银,这都会导致光源发黑失效。光源硫/氯/化在LED光源和灯具的生产、存储、老化、使用的每个环节都有可能发生。在光源发黑被确诊为硫/氯/化后,客户要根据硫/氯/化发生的环节,选择具体的排硫方案。  2、氧化  银在高温高湿的环境下,会极易与氧气发生反应,生成黑色的氧化银。针对此种情况,应该进一步做光源和灯具气密性检查,湿气渗透途径。  3、碳化  以经验来谈,LED光源六大原物料(芯片、支架、固晶胶、键合线、荧光粉、封装胶)的材料缺陷和3大封装工艺(固晶、打线、灌胶)的工艺缺陷都有可能导致光源产生极高的温度,造成光源局部或整体发黑、光源碳化。LED灯具散热设计不合理、散热材料导热系数低、电源设计不合理、回流焊缺陷太多也会造成光源碳化。针对此种情况,应该对光源/灯具进行解剖,找出缺陷或高热阻来源。  4、化学不兼容性  LED光源发黑还可能是由于化学物质的污染而造成,这种发黑现象会经常出现在具有很少或没有空气流动的密封灯具中。这种由化学兼容性问题造成LED光源发黑的问题,应该针对灯具所用物料做化学不兼容性排查,以找出与光源不兼容的物料。


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